特許

J-GLOBAL ID：200903011118446299

半導体装置の作製方法

発明者： 大谷 久
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-042147
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213630
出願日： 1996年02月05日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】 レーザー光によって結晶化された珪素膜の表面を均一にÅオーダーで、かつ損傷を与えずに平坦化し得る半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】ガラス基板101上に、下地膜102、非晶質珪素膜103を順次に成膜する。加熱処理の後に、レーザー光を照射して、表面に凹凸を有する結晶性珪素膜104を形成する。CF4 ガスとO2 ガスの混合ガスにより、ドライエッチングして、高低差が20〜30Å程度の略平坦な表面を有する結晶性珪素膜105を得る。結晶性珪素膜105を島状にパターニングして、TFTの活性層106を形成する。活性層106の表面が平坦であるため、活性層106とCVD法によるゲイト絶縁膜107との界面準位を低くすることができる。

請求項（抜粋）：

非晶質珪素膜を形成する工程と、前記非晶質珪素膜を結晶化して、表面に凹凸を有する結晶性珪素膜を形成する工程と、前記結晶性珪素膜の表面を平坦にする平坦化工程と、前記平坦化された結晶性珪素膜の表面に絶縁膜を堆積する工程とを有する半導体装置の作製方法において、前記平坦化工程は、フッ素原子を供給するガスと、酸素原子を供給するガスとが少なくとも混合されたガスによるドライエッチング工程であり、前記混合ガスにおいて、フッ素原子に対する酸素原子に対する存在比は、0.8以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/12 R ,  H01L 21/302 L ,  H01L 29/78 627 G