特許
J-GLOBAL ID:200903011119504080
半導体チャージポンプ
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (8件):
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-266050
公開番号(公開出願番号):特開2007-159386
出願日: 2006年09月28日
公開日(公表日): 2007年06月21日
要約:
【課題】本発明は、Dickson型チャージポンプにおいて、特殊な素子や製造プロセスを必要とすることなく、充分な昇圧能力および電流駆動能力を確保できるようにする。【解決手段】たとえば、電流整流素子としてのP型MOSトランジスタ15-1〜15-5は、外部供給電源VDDと昇圧出力電源VPPとの間に直列に接続されている。ポンピングキャパシタCa1〜Ca4の一方の電極は、P型MOSトランジスタ15-1〜15-5の各節点V1〜V4にそれぞれ接続され、他方の電極には、クロック信号発生回路15aから互いに180度の位相差をもつクロック信号Φ1,Φ2が交互に与えられる。また、P型MOSトランジスタ15-1〜15-5の各ゲートには、それぞれ、抵抗素子R1〜R5と補助ポンピングキャパシタCb1〜Cb5とからなるダイナミックレベル変換回路15b-1〜15b-5が接続されている。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
外部供給電源と昇圧出力電源との間に直列に接続された、電流整流素子をそれぞれに構成する複数のPチャネルMOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタと、
前記複数のPチャネルMOSトランジスタの各接続点に一方の電極がそれぞれ接続された複数の第1のポンピングキャパシタと、
前記複数の第1のポンピングキャパシタの他方の電極にいずれか一方が交互に供給される、位相が180度異なる第1,第2のクロック信号を発生させるためのクロック信号発生回路と、
前記複数のPチャネルMOSトランジスタの各接続点に一端がそれぞれ接続され、他端が前記複数のPチャネルMOSトランジスタの各ゲートにそれぞれ接続された複数の抵抗素子と、
前記複数の抵抗素子の他端に一方の電極がそれぞれ接続され、他方の電極には、それぞれ前記第1,第2のクロック信号のいずれか一方もしくは前記第1,第2のクロック信号の各同期信号のいずれか一方が交互に供給されることにより、前記複数のPチャネルMOSトランジスタの各ゲートを制御するための制御信号を生成する複数の第2のポンピングキャパシタと
を具備したことを特徴とする半導体チャージポンプ。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (5件):
5H730AA14
, 5H730AS01
, 5H730BB02
, 5H730DD04
, 5H730FG08
引用特許:
審査官引用 (2件)
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特開平2-046162
-
チャージポンプ回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-176610
出願人:三菱電機株式会社
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