特許

J-GLOBAL ID：200903011124697970

半導体ウエーハの研磨方法

発明者： 平田 照人
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-244108
公開番号（公開出願番号）：特開平7-100737
出願日： 1993年09月30日
公開日（公表日）： 1995年04月18日
要約：

【要約】【目的】 フロートポリッシングに要する時間を短縮することによって、フロートポリッシング法の半導体製造分野での実用化を可能ならしめる半導体ウエーハの研磨方法を提供すること。【構成】 半導体ウエーハWの表面をフロートポリッシング法によって非接触研磨する前工程として、ダイヤモンド単粒によるフライカット法によって半導体ウエーハWの表面を研削処理する。本発明によれば、半導体ウエーハWをフロートポリッシング法によって研磨する以前に、ダイヤモンド単粒によるフライカット法によって半導体ウエーハWの表面が研削処理されてフラットに整えられるため、フロートポリッシング法における半導体ウエーハWの研磨時間が大幅に短縮され、これによってフロートポリッシング法の半導体製造分野での実用化が可能となる。尚、前記研削処理の後にエッチング処理を行なえば、研削処理によって半導体ウエーハWに生じた加工歪をより完全に除去することができる。

請求項（抜粋）：

半導体ウエーハの表面をフロートポリッシング法によって非接触研磨する前工程として、ダイヤモンド単粒によるフライカット法によって半導体ウエーハの表面を研削処理することを特徴とする半導体ウエーハの研磨方法。

IPC (5件)：

B24B 1/00 ,  B24B 37/04 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 331

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭64-011754
  
• 特開昭57-132965