特許

J-GLOBAL ID：200903011132506830

薄膜形成方法

発明者： 古茂田 学 ,  松村 英樹 ,  増田 淳
出願人/特許権者： 京セラ株式会社 ,  北陸先端科学技術大学院大学長
代理人 (1件)： 田原 勝彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-100390
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299259
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】 管壁に付着した汚染物質で堆積膜のドーピング濃度の制御性が悪くなるという問題があった。【解決手段】 チャンバ内へ導入された原料ガスを触媒体に接触させて化学的活性種を生成し、この化学的活性種を基板上に輸送してSi膜を堆積する薄膜形成方法であって、上記チャンバ内に加熱手段を設けると共に、上記Si膜を堆積する際に、上記チャンバの内壁温度を前記加熱手段で100°C以上に保持する。

請求項（抜粋）：

チャンバ内へ導入された原料ガスを触媒体に接触させて化学的活性種を生成し、この化学的活性種を基板上に輸送してSi膜を堆積する薄膜形成方法において、前記チャンバ内に加熱手段を設けると共に、前記Si膜を堆積する際に、前記チャンバの内壁温度を前記加熱手段で100°C以上に保持することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  B01J 35/02 ,  C01B 33/02 ,  C23C 16/24 ,  H01L 31/04

FI (6件)：

H01L 21/205 ,  B01J 35/02 G ,  C01B 33/02 E ,  C01B 33/02 D ,  C23C 16/24 ,  H01L 31/04 X

Fターム (49件)：

4G069AA02 ,  4G069AA08 ,  4G069BB02A ,  4G069BC56A ,  4G069BC59A ,  4G069BC60A ,  4G069BC75A ,  4G069CD10 ,  4G069DA06 ,  4G069EE03 ,  4G072AA01 ,  4G072AA02 ,  4G072BB09 ,  4G072BB12 ,  4G072GG03 ,  4G072HH03 ,  4G072HH07 ,  4G072LL01 ,  4G072LL03 ,  4G072NN13 ,  4G072RR01 ,  4G072RR11 ,  4G072UU02 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030FA17 ,  4K030JA10 ,  4K030KA22 ,  4K030KA46 ,  4K030LA16 ,  5F045AA03 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC16 ,  5F045AC19 ,  5F045AD07 ,  5F045AE15 ,  5F045BB06 ,  5F045BB14 ,  5F045DP05 ,  5F045EK07 ,  5F045GB05 ,  5F051AA05 ,  5F051AA16 ,  5F051BA11 ,  5F051CA14 ,  5F051CA21