特許
J-GLOBAL ID：200903011132789581
基板バイアス発生回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-153651
公開番号（公開出願番号）：特開平5-002883
出願日： 1991年06月26日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：
【要約】【構成】周波数が異なる複数の発振回路1,2を備える。発振回路1,2の出力を切替えるスイッチ素子S1,S2からなるスイッチ回路を備える。動作モードを判定しスイッチ回路の切替信号を出力する動作モード判定回路3を備える。【効果】半導体記憶装置の特性試験時における最適な基板バイアスを自由に設定できるので試験を高効率で実施できる。
請求項（抜粋）：
第一の周波数の高周波源である第一の発振回路と、第二の周波数の高周波源である第二の発振回路と、前記第一および第二の発振回路の出力を切替えるスイッチ回路と、予め定めた様式の信号により動作様態を判定し前記スイッチ回路の切替信号を出力する動作モード判定回路とを備えることを特徴とする基板バイアス発生回路。
IPC (3件)：
G11C 11/407
, G06F 11/22 330
, G11C 11/413
G11C 11/34 354 F
, G11C 11/34 335 C
