特許

J-GLOBAL ID：200903011132843047

石英るつぼの洗浄方法

発明者： 堀 憲治
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-312134
公開番号（公開出願番号）：特開2000-143386
出願日： 1998年11月02日
公開日（公表日）： 2000年05月23日
要約：

【要約】【課題】 石英るつぼの表面に付着した石英の脱粒粉や塵埃を初めとして、有機物、微粒子及び金属不純物を良好に除去する。【解決手段】 チョクラルスキー法により半導体単結晶を製造する時に用いられる石英るつぼを溶存オゾン水溶液で洗浄する工程12と、この洗浄した石英るつぼをフッ酸で洗浄する工程13とをこの順序で1回行うか又は1回以上繰返す。最初の溶存オゾン水溶液による洗浄工程12の前及び最後のフッ酸による洗浄工程13の後で、それぞれ上記石英るつぼを純水で洗浄する工程11,14を含むことが好ましい。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法により半導体単結晶を製造する時に用いられる石英るつぼの洗浄方法において、前記石英るつぼ(22)を溶存オゾン水溶液で洗浄する工程(12)と、前記溶存オゾン水溶液で洗浄した石英るつぼ(22)をフッ酸で洗浄する工程(13)とをこの順序で1回行うか又は1回以上繰返すことを特徴とする石英るつぼの洗浄方法。

Fターム (6件)：

4G077CF10 ,  4G077EG01 ,  4G077EG30 ,  4G077MA02 ,  4G077NC03 ,  4G077PD01