特許

J-GLOBAL ID：200903011134499637

半導体モジュール

発明者： 小池 義彦 ,  斉藤 隆一 ,  関根 茂樹 ,  小池 信也 ,  国分 秀弥
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立原町電子工業株式会社
代理人 (1件)： 富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-002818
公開番号（公開出願番号）：特開平8-191130
出願日： 1995年01月11日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：

【要約】【目的】 モジュール内に3つの半導体素子を搭載した場合でも、各素子に同量の電流が流れるようにする。【構成】 カソード側導体パターン104上には、3つのダイオード素子101,102,103が設けられている。アノード側導体パターン105上の絶縁基板106の中心線116上は、アノード側接続端子の接合領域203になっている。この接合領域203と真中の第2ダイオード素子102との間の導体パターン105は、切り欠かれ、この導体パターン105に電流迂回部105aが形成されている。第2ダイオード102に関する電流経路長は、電流迂回部105aにより長くなり、他のダイオード素子101,103に関する電流経路長と等しくなるため、各素子に同量の電流が流れる。

請求項（抜粋）：

同種の半導体素子が複数搭載されている半導体モジュールにおいて、絶縁材で形成された基板と、前記絶縁基板上に配される複数の前記半導体素子と、外部機器と電気的に接続される外部接続端子と、前記絶縁基板上に形成され、前記外部接続端子が接合されると共に複数の前記半導体素子の電極と電気的に並列接続され、該外部接続端子から複数の該半導体素子の電極までの電流経路となる導体パターンと、を備え、前記導体パターンは、前記絶縁基板の特定の仮想線を中心として対象に形成されていると共に、該仮想線上又は該仮想線を中心として対象な複数の位置が前記外部接続端子の接合領域となり、複数の前記半導体素子のうち、それぞれの電極から該接合領域までの距離(一の半導体素子に複数の電極がある場合又は一定の広がりを持った電極がある場合には、該接合領域までの平均距離)が他の半導体素子よりも短くなる半導体素子と該接合領域との間が切欠かれ、この間を流れる電流を迂回させて、複数の該半導体素子毎の各電流経路の長さをほぼ同じにする電流迂回部が形成されていることを特徴とする半導体モジュール。

IPC (2件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (2件)：

H01L 25/04 C ,  H01L 25/04 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭63-193553
  
• 特開平4-125957
  
• 特開平4-336454
  
• 特開昭63-196068
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-055433   出願人：株式会社日立製作所, 日立原町電子工業株式会社