特許
J-GLOBAL ID:200903011138547253

半導体集積回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-181053
公開番号(公開出願番号):特開2000-022456
出願日: 1998年06月26日
公開日(公表日): 2000年01月21日
要約:
【要約】【課題】 ソースホロア出力のボルテージホロアで、電源電圧が高い場合でも、ソースホロアトランジスタにゲート酸化膜が薄く短チャンネルで高い電流駆動能力を有するMOSトランジスタを使用できるようにする。【解決手段】ソースホロア出力トランジスタ8からの出力電圧VOUT を差動増幅器1を介してソースホロアトランジスタ8のゲート電極に負帰還させる構成のボルテージホロアに対し、ソースホロアトランジスタ8のソース及びバックゲート電位(出力端子53の電位)を基準としてそのソースホロアトランジスタ8のゲート電位をクランプするクランプ回路28を設ける。ソースホロアトランジスタ8のソース・ゲート間電圧が所定電圧でクランプされ、ゲート酸化膜に加わる最大電界が低下するので、ゲート酸化膜厚の薄いトランジスタを使用可能である。
請求項(抜粋):
ソースホロア出力トランジスタのソース及びバックゲート電位を基準として前記ソースホロア出力トランジスタのゲート電位をクランプするクランプ回路を有する半導体集積回路。
Fターム (19件):
5J090AA01 ,  5J090AA47 ,  5J090CA92 ,  5J090FA02 ,  5J090FA17 ,  5J090HA09 ,  5J090HA17 ,  5J090HA19 ,  5J090HA25 ,  5J090KA02 ,  5J090KA21 ,  5J090KA47 ,  5J090MA02 ,  5J090MA05 ,  5J090MA13 ,  5J090MA21 ,  5J090MN02 ,  5J090TA01 ,  5J090TA02
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開昭54-132753
  • 特開昭62-221820
  • 電流制限回路
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-014377   出願人:日本電気株式会社

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