特許
J-GLOBAL ID:200903011138547253
半導体集積回路
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-181053
公開番号(公開出願番号):特開2000-022456
出願日: 1998年06月26日
公開日(公表日): 2000年01月21日
要約:
【要約】【課題】 ソースホロア出力のボルテージホロアで、電源電圧が高い場合でも、ソースホロアトランジスタにゲート酸化膜が薄く短チャンネルで高い電流駆動能力を有するMOSトランジスタを使用できるようにする。【解決手段】ソースホロア出力トランジスタ8からの出力電圧VOUT を差動増幅器1を介してソースホロアトランジスタ8のゲート電極に負帰還させる構成のボルテージホロアに対し、ソースホロアトランジスタ8のソース及びバックゲート電位(出力端子53の電位)を基準としてそのソースホロアトランジスタ8のゲート電位をクランプするクランプ回路28を設ける。ソースホロアトランジスタ8のソース・ゲート間電圧が所定電圧でクランプされ、ゲート酸化膜に加わる最大電界が低下するので、ゲート酸化膜厚の薄いトランジスタを使用可能である。
請求項(抜粋):
ソースホロア出力トランジスタのソース及びバックゲート電位を基準として前記ソースホロア出力トランジスタのゲート電位をクランプするクランプ回路を有する半導体集積回路。
Fターム (19件):
5J090AA01
, 5J090AA47
, 5J090CA92
, 5J090FA02
, 5J090FA17
, 5J090HA09
, 5J090HA17
, 5J090HA19
, 5J090HA25
, 5J090KA02
, 5J090KA21
, 5J090KA47
, 5J090MA02
, 5J090MA05
, 5J090MA13
, 5J090MA21
, 5J090MN02
, 5J090TA01
, 5J090TA02
引用特許:
審査官引用 (3件)
-
特開昭54-132753
-
特開昭62-221820
-
電流制限回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-014377
出願人:日本電気株式会社
前のページに戻る