特許
J-GLOBAL ID：200903011140559420
半導体素子の保護膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-202993
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047753
出願日： 1991年08月13日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体素子の最終保護膜としてプラズマCVDシリコン窒化膜(P-SiN膜)を使用する形成方法に関するものであり、そのP-SiN膜からの放出水素を阻止し、より信頼性の高い保護膜を形成し、ひいては寿命劣化を起こさない高信頼性の半導体素子を得ることを目的とするものである。【構成】 前記目的達成のため本発明では、P-SiN膜の形成に先立ち、その下層に、NH3 ガスを使用しない、例えばSiH4 -N2 ガスによるプラズマCVDシリコン窒化膜(No.NH3 ・P-SiN膜)を形成するようにした。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成した絶縁膜の上に、まずNH3 成分を含まないガスによるプラズマCVDシリコン窒化膜(No・NH3 ・P-SiN膜)を形成し、その後、前記膜の上層にNH3 成分を含むガスによるプラズマCVDシリコン窒化膜(P-SiN)を形成することを特徴とする半導体素子の保護膜の形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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