特許

J-GLOBAL ID：200903011144176828

半導体装置のウエット・エッチング方法

発明者： 宇田 満
出願人/特許権者： 日本アイ・ビー・エム株式会社
代理人 (1件)： 頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-269913
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120201
出願日： 1992年10月08日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】 この発明は、ウエット・エッチングにおけるサイド・エッチングを制御することにより微細な加工に適用できるウエット・エッチング方法を提供することを目的とする。【構成】 この発明によれば、ウエット・エッチングのマスクとなるレジスト層を露光してパターンを形成する際、レジスト層に露光部分と非露光部分の境界に半露光部分を設ける。ウエット・エッチング工程において、レジスト層のこの半露光部分を被加工層と同様に除去する。

請求項（抜粋）：

半導体装置のウエット・エッチング方法において、被加工層上にレジスト層を設け、前記レジスト層を、露光部分、非露光部分、及び前記露光部分と前記非露光部分の境界に半露光部分を含むパターンに露光し、前記レジスト層をマスクとして前記被加工層をウエット・エッチングし、そして前記ウエット・エッチングの工程で、前記レジスト層の前記半露光部分をエッチング除去することを特徴とする前記方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/40 521

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特公昭46-037446
  
• 特開昭62-036828
  
• 特開昭54-061876