特許
J-GLOBAL ID：200903011149319775
プロセス・ラチチュードを向上させるためにマスク・パターンの透過率調整を行う方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
浅村 皓
, 浅村 肇
, 森 徹
, 岩本 行夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-351957
公開番号（公開出願番号）：特開2005-141242
出願日： 2004年11月05日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：
【課題】プロセス・ラチチュードを向上させる、フォトリソグラフ・プロセスに使用するためのマスク作製方法の提供。【解決手段】方法は、像形成される複数の形状を有する目標マスク・パターン及びマスクの像形成に使用される照明システムを決定する段階と、目標パターン内の臨界ピッチを識別し、臨界ピッチを像形成するための照明システムの照明設定を最適化する段階と、目標パターン内の禁止ピッチを識別する段階と、禁止ピッチに等しい、又は実質上等しい形状の露出ラチチュードが広がるように、禁止ピッチに等しい、又は実質上等しいピッチを有する形状の透過率を修正する段階とを含む。【選択図】図25
請求項（抜粋）：
フォトリソグラフ・プロセスに使用するためのマスクを作製する方法であって、前記方法が、
像形成される複数の形状を有する目標マスク・パターン、及び前記マスクの像形成に使用する照明システムを決定する段階と、
前記目標パターン内の臨界ピッチを識別し、前記臨界ピッチを像形成する前記照明システムの照明設定を最適化する段階と、
前記目標パターン内の禁止ピッチを識別する段階と、
前記禁止ピッチに等しい、又は実質上等しい前記形状の露出ラチチュードが広がるように、前記禁止ピッチに等しい、又は実質上等しいピッチを有する前記形状の透過率を修正する段階とを含む方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F1/08 G
, H01L21/30 502P
2H095BA01
, 2H095BB02
, 2H095BC24
, 2H095BD31
