酸化膜の形成方法および薄膜トランジスタの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-285547
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110803
出願日： 1999年10月06日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】基板温度が600°C以下の低温プロセスにおいて、シリコンを含む半導体薄膜上に良質な酸化膜を形成すること、および基板温度を低温に保ったまま、性能の優れた信頼性の高い薄膜トランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】シリコンを含む半導体薄膜に酸化を助長する触媒元素を添加し、酸化雰囲気中で熱処理することにより、また、酸素ラジカルおよび酸素イオンとの作用を利用することにより、基板温度が600°C以下の低温プロセスにおいて、シリコンを含む半導体薄膜上に良質な酸化膜を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコンを含む半導体薄膜に酸化を助長する触媒元素を添加し、600°C以下の少なくとも酸化性の物質を含む雰囲気中で熱処理することにより、前記シリコンを含む半導体薄膜表面に酸化膜を形成する工程を含むことを特徴とする酸化膜の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/316 , G02F 1/1365 , H01L 21/283 , H01L 21/322 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 21/316 S , H01L 21/283 W , H01L 21/322 Q , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 617 V , H01L 29/78 627 G

Fターム (83件)：

2H092JA25 , 2H092JA29 , 2H092JA38 , 2H092JA42 , 2H092JA44 , 2H092JB13 , 2H092JB23 , 2H092JB32 , 2H092JB33 , 2H092JB38 , 2H092KA04 , 2H092KA07 , 2H092KA12 , 2H092KA16 , 2H092KA18 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA14 , 2H092MA15 , 2H092MA16 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA20 , 2H092MA22 , 2H092MA27 , 2H092MA30 , 2H092MA35 , 2H092MA37 , 2H092MA41 , 2H092NA22 , 2H092NA25 , 2H092PA06 , 2H092QA07 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB16 , 4M104CC05 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104EE03 , 4M104FF06 , 4M104GG20 , 5F058BA20 , 5F058BB04 , 5F058BB07 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BF62 , 5F058BF68 , 5F058BF73 , 5F058BF80 , 5F058BJ01 , 5F058BJ10 , 5F110AA17 , 5F110AA26 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE06 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF25 , 5F110FF29 , 5F110FF31 , 5F110FF35 , 5F110FF36 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110PP03

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