特許

J-GLOBAL ID：200903011173904085

液晶素子および液晶素子の製造方法

発明者： 新津 岳洋 ,  林 和廣 ,  山本 滋
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 小野寺 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-092510
公開番号（公開出願番号）：特開平5-289070
出願日： 1992年04月13日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 大面積の表示が可能なアクティブ型液晶素子を低価格の製造方法で得る。【構成】 液晶層Dを挟持する下側板Bのアクティブデバイスを構成する強誘電体層3を30mol%以下のPbTiO3 を含むBaTiO3 を用いてMOD法で形成する。また、下側板Bの電極2,4および上側板Cの電極6もMOD法で形成する。【効果】 ペロブスカイト型強誘電体の成膜が容易で、低電圧駆動可能な大面積の液晶素子が容易に得られる。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成された第1の電極と、前記第1の電極を覆って積層された強誘電体層と、前記第1の電極に前記強誘電体層を介して対向するごとく形成された第2の電極とを備えたアクティブデバイスを構成する下側板と、透明絶縁基板上に形成された第3の電極を備えた上側板と、前記下側板と上側板との間に液晶層を間挿してなり、前記アクティブデバイスの強誘電体層を介して前記液晶層に電界を印加することにより前記液晶層を駆動する液晶素子において、前記強誘電体膜がPbTiO3 とBaTiO3 を含み、前記BaTiO3 の含有率が30mol %以下であることを特徴とする液晶素子。

IPC (2件)：

G02F 1/1333 505 ,  H01L 49/02