特許

J-GLOBAL ID：200903011175657484

金属基材への硬質炭素膜の成膜方法

発明者： 山田 修 ,  平尾 孝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-275444
公開番号（公開出願番号）：特開2002-088465
出願日： 2000年09月11日
公開日（公表日）： 2002年03月27日
要約：

【要約】【課題】金属基材30と硬質炭素膜(DLC)33との密着性の向上と、基材を硬化させることで、硬質炭素膜の保護膜としての効果をより高める。【解決手段】ボンバード時において、不活性ガスに窒素ガスを添加することで、ボンバードと同時に窒化物処理を行い金属基材30の硬化を行う。また、中間層31も窒化物を生成可能な金属を用い、窒素を介して金属基材30と中間層31の結合を図り、密着性の向上を図る。中間層31と硬質炭素膜(DLC)33との間には傾斜構造体32を形成してもよい。

請求項（抜粋）：

真空曹内部にプラズマを発生可能なPVD(Pyhysical Vapor Deposition)装置により、窒素化合物を生成可能な金属を含む金属基材上に、硬質炭素膜の成膜を行うに際して、前記真空曹内部の不活性ガスと窒素ガスを混合し、予め基材を窒化可能な温度まで加熱する第1の工程と、バイアス電圧を基材に印加し、前記真空曹内部にプラズマを発生させ、同プラズマ中の不活性ガスイオンと窒素イオンにより、前記金属基材表面へのボンバードと窒化処理を行う第2の工程と、その後、前記硬質炭膜膜を成膜する第3の工程とを含むことを特徴とする金属基材への硬質炭素膜の成膜方法。

IPC (3件)：

C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  F16C 33/24

FI (3件)：

C23C 14/06 F ,  C23C 14/34 N ,  F16C 33/24 Z

Fターム (15件)：

3J011AA06 ,  3J011DA01 ,  3J011DA02 ,  3J011MA02 ,  4K029AA02 ,  4K029BA17 ,  4K029BA34 ,  4K029BA55 ,  4K029BA58 ,  4K029BB02 ,  4K029BD04 ,  4K029CA05 ,  4K029DC40 ,  4K029FA04 ,  4K029FA05