特許
J-GLOBAL ID：200903011184727401
半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-064627
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273894
出願日： 2003年03月11日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：
【課題】半導体ウエハを洗浄した後の乾燥工程において、乾燥不足に起因した製造歩留まりの低下を防ぐことのできる技術を提供する。【解決手段】パターニングされたレジスト膜をマスクとし、CF4系ガスを含む反応ガスを用いたドライエッチングによって絶縁膜15に接続孔17を形成した後、アッシングによりレジスト膜を除去する。続いてフッ素イオンおよびポリマーを除去する薬液が添加され、さらにCO2を溶解した純水からなる洗浄液18を数MPaの水圧をかけて半導体基板1にスプレイすることにより半導体基板1を洗浄し、パーティクルを除去する。その後、半導体基板1を3000rpm以上の回転数で高速回転させ、その回転で生ずる遠心力を利用して洗浄液18を吹き飛ばして半導体基板1を乾燥させる。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
(a)フッ素イオンおよびポリマーを除去する薬液が添加された洗浄液を用いて半導体ウエハを洗浄し、パーティクルを除去する工程と、(b)前記半導体ウエハを回転させて前記洗浄液を吹き飛ばし、前記半導体ウエハを乾燥させる工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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