特許

J-GLOBAL ID：200903011187288492

赤外線固体撮像素子

発明者： 中西 淳治
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-330970
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156491
出願日： 1998年11月20日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：

【要約】【課題】 取扱電荷量が増大され、かつ、信号電荷の蓄積動作に伴う検出器電位の低下が低減された赤外線固体撮像素子を提供する。【解決手段】 赤外線検出部3、赤外線検出部3上に配置された電荷蓄積部23、及び読出し回路部10を同一の半導体基板1上に形成し、赤外線検出部3で変換した信号電荷を、電荷蓄積部23に転送し、さらに、電荷蓄積部23から読出し回路部10に転送させた。

請求項（抜粋）：

赤外線を信号電荷に変換するショットキー接合又はヘテロ接合を備えている赤外線検出部及び該信号電荷を読み出す読出し回路部が同一の半導体基板に形成されている赤外線撮像素子において、上記同一の半導体基板の上記赤外線検出部に隣接するバイアスコントロール領域に形成され、上記赤外線検出部の電位を制御するバイアスコントロール部と、赤外線検出部上に配置され該赤外線検出部を透過した赤外線を該赤外線検出部に反射する第1の金属電極、該第1の金属電極上に配置された絶縁膜層、及び該絶縁膜層上に配置された第2の金属電極からなり、上記バイアスコントロール部に電気的に接続された電荷蓄積部と、上記同一の半導体基板の上記読出し回路部に隣接するトランスファーゲート領域の電位を制御し、上記読出し回路部に電気的に接続されたトランスファーゲートとを含んでいて、上記赤外線検出部で変換された信号電荷が、上記バイアスコントロール部によって上記電荷蓄積部に転送され、該電荷蓄積部に蓄積され、該電荷蓄積部に蓄積された信号電荷が、上記トランスファーゲートによって所定のタイミングで上記読出し回路部に転送されることを特徴とする赤外線固体撮像素子。

IPC (5件)：

H01L 27/148 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/108 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/33

FI (5件)：

H01L 27/14 B ,  H04N 5/33 ,  H01L 27/14 K ,  H01L 31/10 C ,  H01L 31/10 A

Fターム (34件)：

4M118AA01 ,  4M118AA02 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA06 ,  4M118DA03 ,  4M118DB04 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118FA39 ,  4M118GA02 ,  4M118GA10 ,  4M118GD15 ,  5C024AA06 ,  5C024CA00 ,  5C024CA12 ,  5C024CA15 ,  5C024FA01 ,  5C024GA06 ,  5C024GA13 ,  5C024GA22 ,  5C024GA27 ,  5C024GA53 ,  5C024JA28 ,  5F049MA03 ,  5F049MA05 ,  5F049MB03 ,  5F049NB05 ,  5F049QA11 ,  5F049RA06 ,  5F049SS03 ,  5F049WA01