特許

J-GLOBAL ID：200903011192005547

圧電素子及びその加工方法

発明者： 長浦 善昭
出願人/特許権者： 長浦 善昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-062134
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223984
出願日： 1999年02月01日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 従来の厚さの製造限界を超えた、圧電素子、シリコン等の加工工具及び加工方法を提供する。【解決手段】 水晶板、シリコン、又はガリウムヒ素などの電子材料を、研磨加工した後にそれの片面、又は両面から、RIE加工などを行って、数10μm前後を、除去した後、それによって発生する数μmの凸凹を、再度、両面研磨加工機械等の、研磨加工手段によって研磨するか、又は、化学的なWet Etching加工を、両面、又は片面から行って、例えば、直径が2インチで、厚さが5μmから30μm前後の、極く薄くて、精度の高い水晶板などの圧電素材、又はシリコン、ガリウムヒ素などの、電子材料を製作する。

請求項（抜粋）：

水晶板を、両面研磨加工機械、又は片面研磨加工機械、又はその他の研磨加工機械を使用して、研磨加工した水晶板(例えば、水晶板の厚さを80μmとして、水晶板の直径を2インチとする)を、片面、又は両面から、RIE(Reactive Ion Etching)加工などの、化学的なエッチング加工を行って、数10μm前後(例えば、60μmとする)を、除去した後、RIE加工などの、化学的なエッチング加工によって発生する数μmの凸凹(例えば、RIE加工にて、60μm除去すると、約1μmから6μmの凸凹が発生する)を、再度、両面研磨加工機械、又は片面研磨加工機械、又はフロートポリシング機械、又はその他の研磨加工手段によって研磨加工を行って研磨加工をするか、又はwet etchingをした後、周波数の微調節を行なう為に、再度、仕上げのRIE加工、又は化学的なwet Etching加工(例えば、1.0μm前後)を、両面、又は片面から行うことで、例えば、直径が2インチで、厚さが5μmから30μm前後の、極く薄くて、精度の高い水晶板などの圧電素材、又はシリコン、ガリウムヒ素などの電子材料を製作することを特徴とする、圧電素子の加工方法。

IPC (3件)：

H03H 3/02 ,  B24B 1/00 ,  B24B 37/00

FI (3件)：

H03H 3/02 B ,  B24B 1/00 C ,  B24B 37/00 Z