特許

J-GLOBAL ID：200903011193272239

光学素子の成形方法

発明者： 横田 正明 ,  桑原 鉄夫 ,  中居 靖行 ,  山本 潔
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-182210
公開番号（公開出願番号）：特開平7-010557
出願日： 1993年06月29日
公開日（公表日）： 1995年01月13日
要約：

【要約】【目的】 成形サイクル短縮にともなう厳しい条件下での連続成形時に、成形用型の成形面上に転写堆積した離型層を、成形装置内で除去することによって、時間的なロスを減少させ、効率良い連続成形を可能にして、成形品をローコストで供給できる光学素子の成形方法を提供する。【構成】 光学素子の成形用型を用いて、カーボン系離型層を表面に備えた成形用素材をプレスし、光学素子を成形する光学素子の成形方法において、少なくとも、上記成形用型の表面を非酸化性物質で構成し、また、上記成形用型での成形の過程で、前記成形用素材表面から前記成形用型の成形面に転写堆積されたカーボン系離型材を、その成形用型を備えた成形装置内で酸化、除去することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

光学素子の成形用型を用いて、カーボン系離型層を表面に備えた成形用素材をプレスし、光学素子を成形する光学素子の成形方法において、少なくとも、上記成形用型の表面を非酸化性物質で構成し、また、上記成形用型での成形の過程で、前記成形用素材表面から前記成形用型の成形面に転写堆積されたカーボン系離型材を、その成形用型を備えた成形装置内で酸化、除去することを特徴とする光学素子の成形方法。

IPC (2件)：

C03B 11/00 ,  C03B 40/02