特許
J-GLOBAL ID：200903011193658455
化合物半導体結晶の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-188524
公開番号（公開出願番号）：特開平8-048592
出願日： 1994年08月10日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：
【要約】【目的】 所定のキャリア濃度を有する化合物半導体結晶を、再現性よく製造することができる方法を提供する。【構成】 不純物が添加された化合物半導体結晶の製造方法であって、化合物半導体結晶の原料をるつぼ中で融解するステップと、融解により得られた原料融液を冷却することにより結晶成長させるステップとを備え、冷却の際、原料の融点Tから2/3Tまで冷却するのに要する時間を制御することにより、所定のキャリア濃度に調整することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
不純物が添加された化合物半導体結晶の製造方法であって、前記化合物半導体結晶の原料をるつぼ中で融解するステップと、前記融解により得られた原料融液を冷却することにより結晶成長させるステップとを備え、前記冷却の際、前記原料の融点Tから2/3Tまで冷却するのに要する時間を制御することにより、所定のキャリア濃度に調整することを特徴とする、化合物半導体結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 11/00
, C30B 29/42
, H01L 21/208
