特許
J-GLOBAL ID：200903011195091290
半導体装置およびそのコンタクトホールの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-000788
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029479
出願日： 1992年01月07日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、今後実現されるような高集積度の半導体装置に必要な、径0.5μm以下の微小コンタクトホールを、既存のi線ステッパーなどで十分形成できる方法を提供するものである。【構成】 前述の目的のために、本発明はコンタクトホールの形成に当たり、シリコン酸化膜2上にポリシリコン3を堆積してから、目標のコンタクトホールの径よりも大きい径のレジストパターン4を形成し、それをマスクにして該パターンのホール部に露出した前記ポリシリコン3をテーパ状にエッチングし、そこをマスクにして前記シリコン酸化膜2をエッチングして、コンタクトホールを形成するようにした。
請求項（抜粋）：
半導体装置のコンタクトホールを形成する方法として、(a)半導体基板上に絶縁膜を形成し、その上に導電材を堆積する工程と、(b)前記堆積した導電層の上に、コンタクトホール形成のためのマスクパターンを、目標とするコンタクトホールの径よりも大きい径で形成する工程と、(c)前記マスクパターンをマスクにして、該マスクパターンのホール底部に露出した前記導電層をテーパ状にエッチングする工程と、(d)前記テーパ状に形成された導電層と前記マスクパターンとをマスクにして、前記絶縁膜を異方的にエッチングする工程とを含むことを特徴とするコンタクトホールの形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/90
, H01L 21/302
, H01L 21/3205
