特許

J-GLOBAL ID：200903011202733686

望ましくない化学物質からのガス,廃ガス,蒸気及び水の浄化方法

発明者： フランツ・デイートリヒ・エステ
出願人/特許権者： ペーツエーペー・フオトカタリテイク・プリフイカツイオーン・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング
代理人 (1件)： 中平 治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-030747
公開番号（公開出願番号）：特開平7-016428
出願日： 1994年01月18日
公開日（公表日）： 1995年01月20日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 ガス,廃ガス,蒸気及び水の触媒による浄化において,触媒内部の電荷再結合反応を大幅に制限し,反応を再活性化するための付加的な基を提供する。【構成】 短波長の光のエネルギの作用で,浮遊床又は固定床触媒の原理の方法に従い,半導体酸化物特に二酸化チタンの表面で行われる光触媒反応による,浄化方法,及び光触媒作用によつて生ずる鉱化作用生成物からの触媒の浄化方法において,半導体酸化物がa)電解質導電率及び毛管凝結を改善する薬剤としての少なくとも1つの液体又は固体の無機酸,アルカリ,塩又は加水分解生成物を添加されるか,又はb)純粋な弗素化合物を除いて,ハロゲン基形成剤としての少なくとも1つの無機ハロゲン化合物でドーピングされるか,又はc)a)及びb)による性質及び機能を1つの薬剤においてまとめる少なくとも1つの薬剤でドーピングされる。

請求項（抜粋）：

閉じているか又は開ている装置又は装置系内で,光特に短波長の光の形のエネルギの作用で,浮遊床触媒又は固定床触媒の原理の方法に従つて,半導体酸化物特に二酸化チタンの表面で行われる光触媒反応によつて,エーロゾルを含むことがあるガス,廃ガス及び蒸気,及び望ましくない化学物質により汚染されるか又はこれと混合される水の浄化方法,及び場合によつては光触媒ガスによつて生ずる鉱化作用生成物からの触媒の浄化方法において,半導体酸化物がa)電解質導電率及び毛管凝結を改善する薬剤としての少なくとも1つの液体又は固体の無機酸,アルカリ,塩又は加水分解生成物を添加されるか,又はb)純粋な弗素化合物を除いて,ハロゲン基形成剤としての少なくとも1つの無機ハロゲン化合物でドーピングされるか,又はc)a)及びb)による性質及び機能を1つの薬剤においてまとめる少なくとも1つの薬剤でドーピングされることを特徴とする,方法。

IPC (4件)：

B01D 53/86 ZAB ,  B01D 53/32 ,  C02F 1/28 ZAB ,  C02F 1/72 101

FI (2件)：

B01D 53/36 ZAB J ,  B01D 53/36 ZAB K