特許
J-GLOBAL ID：200903011205575429
圧電薄膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西澤 均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-340140
公開番号（公開出願番号）：特開平7-162054
出願日： 1993年12月06日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 基板に大きな歪が加わることを抑制して、基板に割れが発生することを防止するとともに、表面波フィルタなどの表面波装置に応用した場合に、振幅特性にリップルなどの不要波の発生を防止することが可能な圧電薄膜の形成方法を提供する。【構成】 窓2の略全周に、他の部分より低い段部3が連続して形成されたマスク1を、段部3の形成された面が圧電薄膜12を形成すべき基板11に対向するように施し、マスク1の上から圧電薄膜材料をスパッタリングすることにより、略全周において厚みが周辺方向に向って漸減する圧電薄膜12を基板11上に形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に置かれたマスクの窓を通して圧電薄膜材料をスパッタリングすることにより圧電薄膜を形成する圧電薄膜の形成方法において、窓の略全周に、他の部分より低い段部が連続して形成されたマスクを、前記段部の形成された面が圧電薄膜を形成すべき基板に対向するように施し、マスクの上から圧電薄膜材料をスパッタリングすることにより、略全周において厚みが周辺方向に向って漸減する圧電薄膜を基板上に形成することを特徴とする圧電薄膜の形成方法。
IPC (2件)：
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