半導体装置およびその製造方法およびその製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内原晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-223788
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063153
出願日： 1991年09月04日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】DRAMセルのキャパシタ用シリコン窒化膜の誘電率を上げ、信頼性を向上させる。【構成】下層電極となる多結晶シリコン膜6を従来より低い温度(800〜950°C)で熱窒化することにより、シリコンの酸化窒化膜7Bと下層電極の間に化学量論的組成を持つシリコン窒化膜7Aを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に順次形成され多結晶シリコン膜からなる下層電極と誘電体膜と多結晶シリコン膜からなる上層電極とから構成されるキャパシタを有する半導体装置において、前記誘電体膜は少くともシリコン窒化膜とシリコン酸化窒化膜とシリコン窒化膜との3層構造を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , C23F 1/12 , H01L 21/318 , H01L 27/04

引用特許：

審査官引用 (3件)

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