特許

J-GLOBAL ID：200903011210621986

低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および低誘電率被膜付基材

発明者： 中 島 昭 ,  小 松 通 郎
出願人/特許権者： 触媒化成工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 俊一郎 (外3名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1999004050
公開番号（公開出願番号）：WO2000-012640
出願日： 1999年07月28日
公開日（公表日）： 2000年03月09日
要約：

【要約】比誘電率が3以下と小さく、しかも耐酸素プラズマ性やその他のプロセス適合性に優れた低密度膜を形成しうる低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液、およびこのような特質を備えたシリカ系低密度膜を有する低誘電率被膜付基材を提供する。(i)シリカ微粒子と下記一般式(I)で示されるアルコキシシランの1種または2種以上の加水分解物との反応物であるポリシロキサンと、(ii)易分解性樹脂とからなるポリマー組成物を含有することを特徴とする低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液。XnSi(OR)4-n (I)(式中、Xは水素原子、フッ素原子、または炭素数1〜8のアルキル基、フッ素置換アルキル基、アリール基もしくはビニル基を表し、Rは水素原子、または炭素数1〜8のアルキル基、アリール基もしくはビニル基を表す。また、nは0〜3の整数である。)

請求項（抜粋）：

(i)シリカ微粒子と下記一般式(I)で示されるアルコキシシランの1種または2種以上の加水分解物との反応物であるポリシロキサンと、 (ii)易分解性樹脂とからなる ポリマー組成物を含有することを特徴とする低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液。 XnSi(OR)4-n (I)(式中、Xは水素原子、フッ素原子、または炭素数1〜8のアルキル基、フッ素置換アルキル基、アリール基もしくはビニル基を表し、Rは水素原子、または炭素数1〜8のアルキル基、アリール基もしくはビニル基を表す。また、nは0〜3の整数である。)

IPC (4件)：

C09D183/04 ,  C09D 5/25 ,  H01L 21/312 ,  H05K 3/46

FI (4件)：

C09D183/04 ,  C09D 5/25 ,  H01L 21/312 C ,  H05K 3/46 S