特許

J-GLOBAL ID：200903011215413036

半導体装置及びその製造方法

発明者： 伊藤 昭男
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-170333
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060669
出願日： 2000年06月07日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：

【要約】【課題】 強誘電体材料又は高誘電体材料を用いた半導体装置の製造にCMP研磨工程を使用しても強誘電体材料又は高誘電体材料の還元を回避でき、FeRAM及びDRAM又はこれらのメモリ素子とロジック素子とを混載したシステムLSIの製造に適用できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 上部電極25、強誘電体材料又は高誘電体材料からなる誘電体膜24及び下部電極23からなるキャパシタを形成し、さらに、キャパシタの上方に層間絶縁膜33を形成し、その層間絶縁膜33をCMP研磨して表面を平坦化し、次いで、N2 Oガスを用いたプラズマアニールを施し、層間絶縁膜33の表面に付着した水分、及び層間絶縁膜33中の水分を除去し、その後、層間絶縁膜33の上に、再堆積層間絶縁膜34を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された第1の不純物領域及び第2の不純物領域と該半導体基板上に形成されたゲート電極とを有するトランジスタと、前記トランジスタを覆う第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の上に形成され、強誘電体材料と高誘電体材料のいずれかよりなる誘電体膜とこれを挟む上部電極及び下部電極とを有するキャパシタと、前記キャパシタの上に形成され、且つ平坦化された表面を有し、少なくとも該表面に窒素を含むシリコン酸化膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (8件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 M ,  H01L 21/90 P ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 681 F