特許

J-GLOBAL ID：200903011220627559

高密度プラズマ処理装置

発明者： マノージュ・ダルヴィー ,  サトシ・ハマグチ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-002831
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022195
出願日： 1993年01月11日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】 閉じた処理チャンバ構造を有する高密度プラズマ処理装置を提供する。【構成】 プラズマ処理装置300は、閉じ込められた磁界線308を作るトロイダル磁界をプラズマ放電310に与える。これにより、磁界線に沿って通る磁化プラズマ電子が、チャンバ壁または隣接磁界線へ拡散するのを防止する。プラズマ処理装置は、複数のトロイダル・ソレノイド・コイル304内に設けられ、複数のプラズマ源領域306を有する構造を形成するプラズマ処理チャンバ302を備える。

請求項（抜粋）：

チャンバ壁によって定められる内部流路を有し、自らを閉じ込めているプラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバ内に、トロイダル磁界を発生させる手段と、前記プラズマ処理チャンバに連結され、前記プラズマ処理チャンバを所定の速度で真空にするポンプ手段と、前記プラズマ処理チャンバ内に含まれるプラズマ放電源を発生させる手段と、を備えることを特徴とする高密度プラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-001024
  
• 特開昭51-044972
  
• 特開平2-260399