特許

J-GLOBAL ID：200903011224202714

セラミック多層基板の製造方法

発明者： 横山 博三
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 松本 昂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-225430
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077658
出願日： 1992年08月25日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】本発明は多数層の積層が可能で、かつ焼成時の収縮率の制御を容易に行えるようにすることにより、高密度配線及び素子の高密度実装を実現することができるセラミック多層基板の製造方法を提供することを目的とする。【構成】焼成セラミック基板22上に、導体パターン及びビアの形成されたグリーンシート24を多数枚積層し、この積層によるグリーンシート積層体及び焼成セラミック基板の全体を真空パックした後、静水圧プレスにより加圧して一体化させ、この一体化した多層体を該真空パックから取り出した後焼成してセラミック多層基板21を構成する。

請求項（抜粋）：

焼成セラミック基板(22)上に、導体パターン及びビアの形成されたグリーンシート(24)を多数枚積層し、全体を真空パックした後、静水圧プレスにより加圧して一体化させ、この一体化した多層体を該真空パックから取り出した後焼成し、セラミック多層基板(21)を得ることを特徴とするセラミック多層基板の製造方法。