特許

J-GLOBAL ID：200903011226996688

配線構造の形成方法

発明者： 角谷 昌紀
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-109236
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321109
出願日： 1994年05月24日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】 導体部41とその側面を覆う絶縁部33a とを有する配線構造であって導体部および絶縁部41,33aの密着性が良い配線構造を形成する方法を提供する。【構成】 下地31上に絶縁部形成用の絶縁層例えばポリイミド層を形成し、次にこの絶縁層の導体部形成予定領域を選択的に除去して絶縁部33a を形成する。該絶縁部33a の形成が済んだ下地上全面に、前記絶縁部と後に形成される導体部との密着性を確保でき、かつ、電解めっきの際の電流供給用薄膜として使用される薄膜37例えばチタン膜および白金膜をこの順に積層し薄膜37を形成する。該薄膜37の、導体部形成予定領域に対応する部分以外の部分を、絶縁性材料例えばホトマスク39で覆う。絶縁性材料39による被覆が済んだ試料にめっき例えば金めっきを施して導体部41を形成する。

請求項（抜粋）：

導体部と、該導体部の少なくとも側面を覆うよう設けられ該導体部の電気的な絶縁を図るための絶縁部とを有する配線構造を、下地上に形成する方法において、下地上に絶縁部形成用の絶縁層を形成する工程と、該絶縁層の導体部形成予定領域を選択的に除去して絶縁部を形成する工程と、該絶縁部の形成が済んだ下地上全面に、前記絶縁部と後に形成される導体部との密着性を確保でき、かつ、電解めっきの際の電流供給用薄膜として使用される薄膜を形成する工程と、該薄膜の、導体部形成予定領域に対応する部分以外の部分を、絶縁性材料で覆う工程と、該絶縁性材料による被覆が済んだ試料にめっきを施して導体部を形成する工程とを含むことを特徴とする配線構造の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/288 ,  H05K 3/24

FI (2件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 M