特許
J-GLOBAL ID：200903011235765745
不揮発性メモリ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-007523
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198818
出願日： 1992年01月20日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】 セルサイズの縮小された集積度の高い不揮発性メモリ装置を提供する。【構成】 半導体基板に形成されたスイッチングトランジスタと、スイッチングトランジスタのドレイン領域をソースとして形成された負荷トランジスタと、ドレイン領域に接続されたコンタクトプラグを介して蓄積電極、強誘電体膜及びセルプレートを順に積層して形成されたキャパシタとからなる不揮発性メモリ装置。
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成されたスイッチングトランジスタと、スイッチングトランジスタのドレイン領域をソースとして形成された負荷トランジスタと、ドレイン領域に接続されたコンタクトプラグを介して蓄積電極、強誘電体膜及びセルプレートを順に積層して形成されたキャパシタとからなる不揮発性メモリ装置。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
