特許

J-GLOBAL ID：200903011237353452

半導体装置

発明者： 宮辻 和郎
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-253397
公開番号（公開出願番号）：特開平5-095082
出願日： 1991年10月01日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：

【要約】【目的】 電圧依存性がなく、高精度フィルタ回路等に組み込める容量素子を有する半導体装置を提供する。【構成】 半導体基板1上に形成された金属シリサイド下部電極4と、その下部電極4上の所定部を含む領域に形成された絶縁膜6と、その絶縁膜6上の所定部を含む領域に形成された金属配線材の上部電極8とからなる容量素子を少なくとも有する構成よりなる。この構成により上下電極が金属導電性をもつ材料からできているので、電極の容量絶縁膜側表面近傍の空乏層形成がなく、容量値の電圧依存性がなくなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に金属シリサイド下部電極と、その下部電極上の所定部を含む領域に形成された絶縁膜と、その絶縁膜上の所定部を含む領域に形成された金属配線材の上部電極とを有する容量素子を少なくとも有することを特徴とする半導体装置。