特許

J-GLOBAL ID：200903011237778607

不揮発性記憶素子及び半導体集積回路装置

発明者： 宿利 章二
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-008964
公開番号（公開出願番号）：特開2008-172251
出願日： 2008年01月18日
公開日（公表日）： 2008年07月24日
要約：

【課題】電荷保持膜を有する不揮発性記憶素子のトンネル消去を可能とする。【解決手段】半導体基板上に第1絶縁膜(42)を形成し、その上に、ソース領域(8)、ドレイン領域(7)、及びそれらの間にチャネル領域(9)を形成する半導体領域(1)を設け、チャネル領域上に第2絶縁膜(2)、その上に電荷保持膜(4)、更にその上にゲート電極(6)を設ける。半導体基板内に形成される共通ソース配線領域(54)は接続孔(53H)を介してソース領域に接続される。接続孔は、第1絶縁膜をゲート電極の側壁に形成されたサイドウォールスペーサ(52)に対して自己整合的に除去することで形成される。接続孔にソース領域と共通ソース配線領域が接続されるプラグ(37)が形成される。電荷保持膜が保持する電子を放出する動作をトンネルによって行っても第2絶縁膜に電子が残存する事態を阻止できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

不揮発性記憶素子をメモリセルとして複数個有する半導体集積回路装置であって、 半導体基板上に形成された第1絶縁膜上に半導体領域が形成され、 前記半導体領域にソース領域、ドレイン領域、及びそれらの間のチャネル領域とが形成され、 前記チャネル領域上に第2絶縁膜が設けられ、 前記第2絶縁膜上に前記電荷保持膜が設けられ、 前記電荷保持膜上にゲート電極が設けられ、 前記第1絶縁膜の下部の前記半導体基板内に共通ソース配線領域が形成され、 前記共通ソース配線領域は、前記第1絶縁膜および前記半導体領域に形成された接続孔を介して前記複数個のメモリセルのソース領域にそれぞれ接続され、 前記接続孔は、前記第1絶縁膜を前記ゲート電極の側壁に形成されたサイドウォールスペーサに対して自己整合的に除去することで形成され、 前記接続孔にプラグが形成されて、前記ソース領域と前記共通ソース配線領域とが接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (8件)：

H01L 21/824 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 27/08

FI (6件)：

H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 613B ,  H01L21/90 C ,  H01L21/28 L ,  H01L27/08 331E

Fターム (132件)：

4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB18 ,  4M104BB37 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD06 ,  4M104DD91 ,  4M104EE03 ,  4M104EE05 ,  4M104EE08 ,  4M104EE09 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104FF21 ,  4M104GG09 ,  4M104GG16 ,  4M104HH14 ,  5F033HH04 ,  5F033HH25 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033LL04 ,  5F033LL08 ,  5F033MM05 ,  5F033MM15 ,  5F033NN03 ,  5F033NN39 ,  5F033NN40 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033VV07 ,  5F033VV15 ,  5F033VV16 ,  5F033XX03 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BC05 ,  5F048BC06 ,  5F048BE02 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F083EP17 ,  5F083EP22 ,  5F083ER02 ,  5F083ER19 ,  5F083ER22 ,  5F083GA06 ,  5F083GA16 ,  5F083GA21 ,  5F083HA02 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA53 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083KA11 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA20 ,  5F083LA21 ,  5F083MA03 ,  5F083MA06 ,  5F083MA15 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F101BA44 ,  5F101BA45 ,  5F101BA47 ,  5F101BC11 ,  5F101BD30 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F110AA04 ,  5F110AA14 ,  5F110BB08 ,  5F110CC02 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110EE09 ,  5F110EE32 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF10 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HM02 ,  5F110HM12 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN35 ,  5F110NN74 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 米国特許第5,768,192号明細書
  
• 米国特許第6,011,725号明細書
  
• 米国特許第5,966,603号明細書
  
• 米国特許第6,180,538号明細書