特許
J-GLOBAL ID:200903011239187932

半導体素子アセンブリ及びそれを用いた電気回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三好 秀和 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-252121
公開番号(公開出願番号):特開2001-077302
出願日: 1999年09月06日
公開日(公表日): 2001年03月23日
要約:
【要約】【課題】 半導体素子アセンブリにおいて、電流の流れる経路長を等しくすることによって電流密度が経路によって偏らないようにした。【解決手段】 半導体素子1の一側に入力端部2とこの入力端部と半導体素子の一側とを結ぶ入力側接続体4を設け、半導体素子の他側に入力側接続体と電流経路長を同じくする出力側接続体5を設け、出力側接続体における入力端部2と反対側の端部に出力端部3を設けた構造である。これにより、入力端部2から出力端部3に至る電流経路長を半導体素子1のどの位置を通る電流経路でも等しい長さにして、電流密度を経路によらず一定にできる。
請求項(抜粋):
半導体素子の一側に入力端部とこの入力端部と前記半導体素子の一側とを結ぶ入力側接続体を設け、前記半導体素子の他側に前記入力側接続体と電流経路長を同じくする出力側接続体を設け、前記出力側接続体における前記入力端部と反対側の端部に出力端部を設けて成る半導体素子アセンブリ。
IPC (2件):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18

前のページに戻る