特許
J-GLOBAL ID：200903011241036704
半導体レ-ザ装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-255177
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112590
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】 高出力でかつ高信頼性の半導体レ-ザ装置及びその製造方法を提供する点。【構成】 n型GaAsコンタクト層は、p型GaAs層とn型GaAs層に成長するために、その結晶内部に欠陥を形成しないので、高出力でかつ高信頼性の半導体レ-ザ装置及びその製造方法が得られる。
請求項（抜粋）：
活性層をp型及びn型のクラッド層で挟み,前者を基板側とするInGaAlP系材料から成るダブルヘテロ構造部と,このダブルヘテロ構造部のn型クラッド層に重ねるn型GaAs層と,この両層の一方または双方の一部を除いて露出するダブルヘテロ構造部に積層するp型GaAs電流阻止層と,前記n型GaAs層ならびにp型GaAs電流阻止層に重ねるn型コンタクトGaAs層とを具備することを特徴とする半導体レ-ザ装置
IPC (2件)：
引用特許：
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