特許

J-GLOBAL ID：200903011244618054

マスクパターンの検査方法

発明者： 中筋 護
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 細江 利昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-193583
公開番号（公開出願番号）：特開2000-010259
出願日： 1998年06月25日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】 パターンの寸法を設計値と異ならせることにより近接効果を補正する方式のマスクに形成されたパターンの良否を検査する場合でも、正確な検査が行える方法を提供する。【解決手段】 通常の寸法のパターン部4の一部に非常に大きなパターン部5があり、大きなパターン部5においては、電子ビームによる転写時の近接効果を補正できるようにパターン形成が行われ、その結果、実際のパターン2は、設計値どおりのパターン1より細くなっている。よって、パターンの設計寸法と実際のパターンエッジ位置から検出した実測パターン寸法とを比較することによりパターンの検査を行うと、この部分が欠陥として検出される。しかし、この部分は、近接効果を補正する方向が、パターンを細くする方向であり、実際のパターン2の方向と一致しているので、欠陥とは判定しないようにする。

請求項（抜粋）：

パターンの寸法を設計値と異ならせることにより近接効果を補正する方式のマスクに形成されたパターンの良否を、パターンの設計寸法と実際のパターンエッジ位置から検出した実測パターン寸法とを比較することにより検査するマスクパターンの検査方法において、検出された欠陥の実測パターン寸法が近接効果を補正する方向に異常である場合には当該欠陥を欠陥と判定せず、検出された欠陥の実測パターン寸法が近接効果を補正する方向と逆方向に異常である場合には当該欠陥を欠陥と判定することを特徴とするマスクパターンの検査方法。

IPC (5件)：

G03F 1/08 ,  G01B 11/24 ,  G01B 15/00 ,  G01N 21/88 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 1/08 S ,  G01B 11/24 F ,  G01B 15/00 B ,  G01N 21/88 E ,  H01L 21/30 502 V

Fターム (31件)：

2F065AA12 ,  2F065AA21 ,  2F065AA58 ,  2F065BB02 ,  2F065CC18 ,  2F065EE00 ,  2F065QQ00 ,  2F065QQ21 ,  2F065QQ23 ,  2F065QQ25 ,  2F065RR06 ,  2F065RR08 ,  2F067AA13 ,  2F067AA21 ,  2F067AA57 ,  2F067BB01 ,  2F067CC16 ,  2F067FF01 ,  2F067GG08 ,  2F067HH06 ,  2F067RR00 ,  2F067RR24 ,  2F067RR29 ,  2G051AA56 ,  2G051AB20 ,  2G051EA08 ,  2G051EB01 ,  2G051EB02 ,  2H095BD04 ,  2H095BD26 ,  2H095BD28