特許
J-GLOBAL ID:200903011246367032
基板処理装置および半導体装置の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
荒船 博司
, 宮本 治彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-160058
公開番号(公開出願番号):特開2009-033121
出願日: 2008年06月19日
公開日(公表日): 2009年02月12日
要約:
【課題】クリーニング時に処理室内においてデッドスペースが発生するのを抑制する。【解決手段】基板処理装置は、基板200を処理する処理室201と、処理室を排気する排気管231、402と、排気管231、402を開閉する排気バルブ243d、404と、クリーニングガスを処理室に供給するクリーニングガス供給管302、350と、クリーニングガス供給管302、350の開閉を行う供給バルブ304、354と、制御部280とを有し、制御部は、排気バルブ243d、404と供給バルブ304、354とを制御して、処理室の排気を止めた状態でクリーニングガスを処理室に供給する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
基板を処理する処理室と、
前記処理室を排気するための排気路と、
前記排気路を介して前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、
前記排気路を開閉する排気バルブと、
成膜に寄与する原料ガスを前記処理室内に供給する原料ガス供給手段と、
前記原料ガスの供給に伴って前記処理室内に付着する付着物を除去するクリーニングガスを前記処理室に供給するクリーニングガス供給手段と、
制御部と、を含む基板処理装置であって、
前記クリーニングガス供給手段は、
前記クリーニングガスを前記処理室に供給する供給路と、
前記供給路の開閉を行う第1ガス供給バルブと、を有し、
前記制御部は、前記排気バルブおよび前記第1供給バルブを制御して、前記処理室の排気を止めた状態で前記クリーニングガスを前記供給路から前記処理室に供給する基板処理装置。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L21/31 C
, C23C16/44 J
Fターム (41件):
4K030AA06
, 4K030AA13
, 4K030AA18
, 4K030BA40
, 4K030CA04
, 4K030DA06
, 4K030EA01
, 4K030EA11
, 4K030HA01
, 4K030KA22
, 4K030KA41
, 4K030LA15
, 5F045AA08
, 5F045AB33
, 5F045AC05
, 5F045AC12
, 5F045AC15
, 5F045AE17
, 5F045AE19
, 5F045AE21
, 5F045AE23
, 5F045AE25
, 5F045BB08
, 5F045BB14
, 5F045DP19
, 5F045DP28
, 5F045DQ05
, 5F045EB06
, 5F045EC01
, 5F045EE02
, 5F045EE04
, 5F045EE13
, 5F045EE18
, 5F045EE19
, 5F045EE20
, 5F045EF03
, 5F045EF09
, 5F045EF13
, 5F045EH04
, 5F045EK06
, 5F045EM10
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