特許

J-GLOBAL ID：200903011254757451

クライオポンプの再生方法及び真空排気系

発明者： 佐々木 秀世
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立北海セミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-140337
公開番号（公開出願番号）：特開平6-346848
出願日： 1993年06月11日
公開日（公表日）： 1994年12月20日
要約：

【要約】【目的】クライオポンプの再生時間を短縮させることにより、クライオポンプを用いた半導体基板処理装置の稼動率を向上させること。【構成】クライオポンプ1内へのパージガスを導入し、クライオポンプ1内のクライオパネル3を強制的に昇温させながら、粗引きポンプ9によってクライオポンプ1内の圧力を、クライオパネル3にトラップされた気体のうちその飽和蒸気圧が最も低い気体の飽和蒸気圧よりも低い圧力に保持する。【効果】クライオパネルを強制的に昇温させながら、クライオポンプ内の圧力を飽和蒸気圧が最も低い気体の飽和蒸気圧よりも低い圧力に保持するので、短時間に気体の飽和蒸気圧が上昇し、クライオパネルに凝縮吸着している気体の分子を短時間に放出させることができ、結果としてクライオポンプの再生時間を飛躍的に短縮させることができる。従って、クライオポンプを用いた半導体基板処理装置の稼動率を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

極低温のクライオパネルの表面に気体を凝縮または吸着することによって真空処理を行なうべき空間に真空状態を作り出すクライオポンプを、昇温させることによって前記クライオパネルの表面に凝縮または吸着された気体を前記クライオパネルから放出させて、クライオポンプから気体を排気するクライオポンプの再生方法であって、前記クライオポンプ内に昇温用気体を導入する工程と、該昇温用気体の導入中に排気手段によってクライオポンプ内の圧力を、前記クライオパネルに凝縮または吸着された気体のうち、その飽和蒸気圧が最も低い気体の飽和蒸気圧よりも低い圧力に保持する工程とを備えたことを特徴とするクライオポンプの再生方法。