特許
J-GLOBAL ID：200903011262250838
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-063080
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267677
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】 複数のユニットセルからなる縦型パワーMOSトランジスタにおいて、ユニットセルが形成領域を拡大して、トランジスタのオン抵抗を低減させ、もって、電力損失の低減、ひいては高性能化を図る。【構成】 縦型パワーMOSトランジスタ100は複数のユニットセル101から成り、ユニットセルのメッシュ型のゲート電極102の上には絶縁膜106を介してアルミ第1層110が形成される。更に該第1層の上には絶縁膜107を介してアルミ第2層120が形成される。上記第1層110はユニットセルの夫々のソース領域103に導電接続されて共通のソース電極を形成し、上記第2層120とゲート電極102とは第1層110の所定の領域に形成された開口部110aにて導電接続される。上記第2層は2つの領域に分割され、第1領域120Aはゲート電極と、第2領域120Bは第1層110と、導電接続されて夫々ゲートパッド11、ソースパッド12を形成する。
請求項（抜粋）：
1つの半導体基板に形成された複数のトランジスタユニットセルから成る縦型パワーMOSトランジスタにおいて、ユニットセルのゲート電極の上に絶縁膜を介して形成される第1の金属配線層にて当該ユニットセルの夫々のソース領域に導電接続されるソース電極を形成すると共に、該第1の金属配線層の所定の領域に開口部を形成し、前記第1の金属配線層の上層に絶縁膜を介して第2の金属配線層を形成し、前記開口部にて該第2の金属配線層とゲート電極を導電接続させてなることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 321 W
, H01L 29/78 321 G
