半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-280856
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129652
出願日： 1995年10月27日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】寄生発振を抑制する為にドレイン電極導体パターンを分割した状態において、ゲートパッドより給電され、ゲートフィンガーを経由しドレインパッドへ出力される信号の経路差をなくし、合成効率の向上による特性改善を図る。【解決手段】一つのゲートパッド1に接続されたゲートフィンガー3の数が、nを2以上の整数とするとき、(4n-2)本のGaAsFETを有する半導体装置において、当該ゲートパッド1に最も近い短冊状ドレイン電極16に対し、他のドレイン電極6が接続されるドレインパッド4とは異なるドレインパッド5を接続し、且つ該ドレインパッド5は、当該ゲートパッド1へ入力された信号の経路が全て等しく、即ち、a→b→h→jの経路長がa→b→c→d→eの経路長に等しくなる位置に配置されている。

請求項（抜粋）：

基板上に並べて形成された4n-2本(但し、nは2以上の整数)のゲート電極(3)と、前記基板上に前記4n-2本のゲート電極の中央の二つの間の位置に形成された中央ドレイン電極(16)と、前記基板上に前記4n-2本のゲート電極の互に隣接する二つの間の位置に、前記中央の二つの間の位置から一つ置きに両側にそれぞれ形成された一対の側部ドレイン電極(D)と、前記基板上に前記4n-2本のゲート電極の互に隣接する二つの間の残りの位置にそれぞれ形成されると共に、前記基板上に前記4n-2本のゲート電極の内の最外側の一対のゲート電極の外側にそれぞれ形成されたソース電極(S)とを有する複数の電界効果トランジスタを有する半導体装置において、前記基板上に形成され、前記4n-2本のゲート電極の一端を互に接続するゲートバスバー(2)と、前記基板上に形成され、前記ゲートバスバーの中央位置に接続されたゲートパッド(1)と、前記基板上に前記4n-2本のゲート電極の他端側に形成され、前記ゲートパットに最も近い前記中央ドレイン電極のみに接続された中央ドレインパッド(5)と、前記基板上に前記4n-2本のゲート電極の他端側に形成され、前記一対の側部ドレイン電極にそれぞれ接続された一対の側部ドレインパッド(4)とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/872

FI (3件)：

H01L 29/80 L , H01L 29/48 H , H01L 29/80 F

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