特許

J-GLOBAL ID：200903011277322479

光制御デバイス

発明者： 西本 裕
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 煤孫 耕郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-309707
公開番号（公開出願番号）：特開平8-146367
出願日： 1994年11月18日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】 温度ドリフトを抑圧するための導体膜の抵抗に与えられていた制限を無くすとともに、温度ドリフト及びCDドリフトも抑圧し、さらに低い駆動電圧が得られる光制御デバイスを提供する。【構成】 LiNbO3基板(1)の表面に形成された2本のチャネル型光導波路(2a)(2b)からなる光回路(5)と、光導波路(2a)(2b)の上にバッファ層(3)を介して電極(4a)(4b)が形成されている。また、電極(4a)(4b)の近傍に導体膜(6)が形成されている。導体膜(6)は電極(4a)(4b)間を導通させておらず、電極(4a)(4b)の近傍で絶縁されている部分(7)がある。

請求項（抜粋）：

焦電効果を有する基板表面に形成された光導波路と前記光導波路の近傍に形成された少なくとも1対の電極と少なくとも前記基板と前記電極の間に形成された膜体と前記少なくとも1対の電極の近傍を覆う前記膜体より導電性の大きい導体膜とからなる光制御デバイスにおいて、前記導体膜が前記少なくとも1対の電極のそれぞれの電極間の複数箇所で絶縁されている構造を特徴とする光制御デバイス。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-253815
  
• 特開昭56-165122
  
• 光デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-098661   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開平4-195115