特許
J-GLOBAL ID：200903011285197179
表面処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-327524
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166596
出願日： 1991年12月11日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【目的】この発明は、反応性ガスがマイクロ波によって励起されて放電した際に生じる反応生成物によって処理室の気密を保持する透過窓が汚損されるのを防止した表面処理装置を提供することにある。【構成】マイクロ波によって励起された反応性ガスによって表面処理される被処理物6が設置される処理室1と、処理室1に一端を接続し他端をマイクロ波の発生源14に接続した導波管13と、処理室1内とこの処理室1に連通する導波管131内とを減圧する排気ポンプ8と、導波管13の中途部に気密に設けられた発生源14からのマイクロ波を透過する透過窓16と、導波管13の透過窓167よりも下流側に設けられその部分を処理室1よりも低圧に維持するスリット板17aとを具備したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
マイクロ波によって励起される反応性ガスが導入されるとともに励起された反応性ガスによって表面処理される被処理物が設置される処理室と、この処理室に一端を接続し他端をマイクロ波の発生源に接続した導波管と、上記処理室内とこの処理室に連通する上記導波管内とを減圧する減圧手段と、上記導波管の中途部に気密に設けられた上記発生源からのマイクロ波を透過する透過窓と、上記導波管の上記透過窓よりも下流側に設けられ上記導波管のその部分を上記処理室よりも低圧に維持する圧力制御手段とを具備したことを特徴とする表面処理装置。
IPC (4件)：
H05H 1/46
, C23C 14/30
, C23F 4/00
, H01L 21/302
