特許

J-GLOBAL ID：200903011290293976

固体撮像素子およびその製造方法

発明者： 山川 聡
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-239526
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094700
出願日： 1993年09月27日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】 固体撮像素子において転送電極のポリシリコン膜側面周囲よりCCDに入射する光を遮光できスメアを防止すること。【構成】 半導体基板上に形成され光を光電荷に変換する受光領域と、ポリシリコン膜13と高融点金属膜14の2層でポリサイド転送電極11,12を形成し受光領域から出力された光電荷を順次転送する転送領域でなる固体撮像素子において、転送領域に設けられた転送電極11はポリシリコン膜13と高融点金属膜14とでなり高融点金属膜14がポリシリコン膜13より半導体基板上の素子間分離部9を覆う位置まで突出して形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成され光を光電荷に変換する受光領域と、上記受光領域から出力された光電荷を順次転送する転送領域でなる固体撮像素子において、上記転送領域に設けられた転送電極はポリシリコン膜と高融点金属膜とでなり上記高融点金属膜が上記ポリシリコン膜より上記半導体基板上の素子間分離部を覆う位置まで突出して形成されていることを特徴とする固体撮像素子。