セラミックス多層基板の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-142814
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335741
出願日： 1992年06月03日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】セラミックス多層基板における導体回路の低抵抗化を目的とする。【構成】セラミックス製グリーンシート1を積層した後、グリーンシート積層体4を酸化雰囲気下にて乾燥させる。このときの温度は150°C〜240°Cの範囲内である。次に、真空条件下にて積層体4を脱脂した後、その積層体4に仮焼成及び本焼成を施す。この条件にて乾燥を行うことより、脱脂及び仮焼成後のフリーカーボン量が減少する。

請求項（抜粋）：

有機質成分を含むセラミックス製グリーンシート(1)にタングステンペースト(P)を用いて導体回路(3a,3b)を形成し、そのグリーンシート(1)を積層した後、グリーンシート積層体(4)の脱脂及び焼成を行うセラミックス多層基板の製造方法において、酸化雰囲気下にて150°C〜240°Cの範囲内で前記グリーンシート積層体(4)を乾燥した後、非酸化雰囲気下にてその積層体(4)を脱脂することを特徴とするセラミックス多層基板の製造方法。

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