特許

J-GLOBAL ID：200903011303898597

シリコンウェーハを用いた半導体ウェーハ研磨加工の良否評価方法

発明者： 元浦 久実 ,  志村 誠一
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-322108
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145088
出願日： 1997年11月07日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】 シリコンウェーハの鏡面研磨加工工程で導入された欠陥(微小スクラッチ)は、ウェーハの酸化膜耐圧を低下させる一因となるので、これを改善するため、鏡面研磨加工の良否評価方法を提供する。【解決手段】 この評価方法は、鏡面研磨加工を施した後SC-1洗浄を行ったエピタキシャルウェーハまたはFZ法によるシリコンウェーハに対し、HF洗浄を行う第1工程と、SC-1洗浄を行う第2工程と、前記シリコンウェーハの表面に存在するLPD(Light Point Defects) をパーティクルカウンタで測定する第3工程と、前記測定結果に基づいて鏡面研磨加工の良否を評価する第4工程とによって構成されている。

請求項（抜粋）：

鏡面研磨加工及び洗浄処理を施したエピタキシャルウェーハまたはFZ法によるシリコンウェーハを、HFで洗浄する第1工程と、SC-1洗浄液で洗浄する第2工程と、前記ウェーハの表面で検出されるLPD(Light Point Defects) の個数をパーティクルカウンタで測定する第3工程と、前記測定結果に基づいて鏡面研磨加工の良否を評価する第4工程とによって構成されていることを特徴とするシリコンウェーハを用いた半導体ウェーハ研磨加工の良否評価方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 321 ,  G01N 1/32 ,  G01N 15/00 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

H01L 21/304 321 A ,  G01N 1/32 B ,  G01N 15/00 ,  H01L 21/66 L