特許

J-GLOBAL ID：200903011304048635

半導体装置の製造方法

発明者： 鈴木 洋
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-295129
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153788
出願日： 1994年11月29日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】配線がシリコン含有アルミニウム合金からなる半導体装置の製造方法において、当該配線のコンタクト抵抗を低減する。【構成】シリコン基板1直上の絶縁膜3に、拡散層2と配線6とを接続するコンタクトホール4を反応性イオンエッチングにより形成する。その後、コンタクトホール4直下の拡散層2表面に、HF、NH4 F、およびH2 O2 を含む水溶液を浸透させる。これにより、反応性イオンエッチングにより拡散層2の表面に生じたダメージ層が除去されて、薄い良質の酸化膜5が形成される。その後、絶縁膜3および薄い酸化膜5の上に、シリコン含有アルミニウム合金からなる配線6を形成する。このようにして得られた半導体装置では、配線6と拡散層2との界面にシリコンがエピタキシャル成長し難くなる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に形成された絶縁膜に、当該絶縁膜上に形成される配線と前記シリコン基板とを接続するためのコンタクトホールを、反応性イオンエッチングにより形成するコンタクトホール形成工程と、当該コンタクトホール形成後の基板表面を、フッ化水素、フッ化アンモニウム、および過酸化水素をそれぞれ所定濃度で含む水溶液で処理することにより、当該コンタクトホール直下のシリコン基板面に薄い酸化膜を形成する薬液処理工程と、当該薬液処理工程の後に、前記絶縁膜および前記薄い酸化膜の上に、シリコン含有アルミニウム合金からなる配線を形成する配線形成工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28