特許

J-GLOBAL ID：200903011305704579

位相シフトレチクルの製造方法

発明者： 加藤 真也 ,  大久保 武紀 ,  浦口 雅弘
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平2-072352
公開番号（公開出願番号）：特開平5-142744
出願日： 1990年03月20日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】 電子出願以前の出願であるので要約・選択図及び出願人の識別番号は存在しない。

請求項（抜粋）：

基準となる光を透過させる開口部からなるメインパターン(10)と、前記メインパターン周囲で光を遮断する遮光部(12)と、前記メインパターン(10)と前記遮光部(12)との間に配置され、前記基準となる光に対して所定の位相差を有する光を透過させる位相シフタ部(9)とを有する位相シフトレチクルの製造方法であって、 透明基板(3)上に前記遮光部(12)を構成する金属遮光膜(2)を形成する工程と、 EBレジスト層(5)を形成し、パターニングし、前記金属遮光膜(2)を選択的にエッチングして前記メインパターン(10)ないし前記位相シフト部(9)を形成する第1リソグラフィ工程と、 前記選択的にエッチングした金属遮光膜(2)を覆って、前記金属遮光膜とエッチング特性の異なる材料からなる導電膜(7)を形成する工程と、 EBレジスト層(5)を形成し、パターニングし、前記導電膜(7)および前記金属遮光膜(2)を選択的に除去し、前記位相シフト部(9)ないしは前記メインパターン(10)を形成する第2リソグラフィ工程と、 残存する前記導電膜(7)を除去する工程とを含む位相シフトレチクルの製造方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/00