特許
J-GLOBAL ID:200903011306214931
両面回路基板及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
恩田 博宣
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-030234
公開番号(公開出願番号):特開平10-229162
出願日: 1997年02月14日
公開日(公表日): 1998年08月25日
要約:
【要約】【課題】 低コスト化及び高性能化を妨げることなく集積度の高い両面回路基板を提供すること。【解決手段】 この両面回路基板1は、単結晶シリコン基板2の表裏両側に形成された能動素子TR1 ,TR2 同士を貫通電極8により電気的に接続したものである。貫通電極8は、単結晶シリコン基板2の所定領域において基板厚さ方向に沿って形成された導電層11と、その導電層11を周囲の導電性領域からアイソレートする絶縁層12とからなる。
請求項(抜粋):
単結晶シリコン基板の表裏両側に形成された能動素子同士を貫通電極により電気的に接続したことを特徴とする両面回路基板。
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