特許

J-GLOBAL ID：200903011307255690

半導体基板表面の不純物の分析方法

発明者： 柳 佐知子 ,  片野 真希子 ,  佐々木 裕美
出願人/特許権者： 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-270531
公開番号（公開出願番号）：特開2001-091504
出願日： 1999年09月24日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】 測定ごとの測定値のばらつきを較正することができ、測定されるサンプルの定量精度を向上させることが可能な半導体基板表面の不純物の分析方法を提供すること。【解決手段】 一定量の標準物質を含む標準試料と、一定量の較正物質を含む較正試料とを、同時に加熱脱離-GC/MS測定に供する第1の測定工程、表面に不純物を吸着した半導体基板と、一定量の較正物質を含む較正試料とを、同時に加熱脱離-GC/MS測定に供する第2の測定工程、および前記第1の測定工程の測定結果と前記第2の測定工程の測定結果から、前記半導体基板表面に吸着した不純物を定量する工程を具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

一定量の標準物質を含む標準試料と、一定量の較正物質を含む較正試料とを、同時に加熱脱離-ガスクロマトグラフィーまたは加熱脱離-ガスクロマトグラフィー/質量分析に供する第1の測定工程、表面に不純物を吸着した半導体基板と、一定量の較正物質を含む較正試料とを、同時に加熱脱離-ガスクロマトグラフィーまたは加熱脱離-ガスクロマトグラフィー/質量分析に供する第2の測定工程、および前記第1の測定工程の測定結果と前記第2の測定工程の測定結果から、前記半導体基板表面に吸着した不純物を定量する工程を具備することを特徴とする半導体基板表面の不純物の分析方法。

IPC (11件)：

G01N 30/04 ,  G01N 1/00 ,  G01N 1/00 102 ,  G01N 1/22 ,  G01N 30/06 ,  G01N 30/66 ,  G01N 30/68 ,  G01N 30/70 ,  G01N 30/72 ,  G01N 30/88 ,  H01L 21/66

FI (11件)：

G01N 30/04 P ,  G01N 1/00 C ,  G01N 1/00 102 B ,  G01N 1/22 L ,  G01N 30/06 Z ,  G01N 30/66 ,  G01N 30/68 Z ,  G01N 30/70 ,  G01N 30/72 A ,  G01N 30/88 A ,  H01L 21/66 Z

Fターム (6件)：

4M106AA01 ,  4M106BA20 ,  4M106CA41 ,  4M106DH23 ,  4M106DH44 ,  4M106DH60