特許

J-GLOBAL ID：200903011314086942

単結晶性薄膜の製造方法および成膜装置

発明者： 藤野 剛三 ,  母倉 修司 ,  大松 一也 ,  岩田 良浩 ,  本庄 昇一 ,  佐藤 礼文 ,  石井 英雄
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社 ,  東京電力株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-202507
公開番号（公開出願番号）：特開2001-026496
出願日： 1999年07月16日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】【課題】 多結晶性の基板上に、優れた単結晶性を有する単結晶性薄膜を形成することが可能な単結晶性薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 ターゲット材1表面から成膜材料を飛散させ、その飛散した成膜材料を基材2表面上に堆積させる単結晶性薄膜の製造方法において、まず、基材2をターゲット材1の表面に対してほぼ平行となるように対向して配置する。基材2の表面で成膜領域5を規定する。ターゲット材1表面において成膜材料が飛散する飛散領域4を規定する。飛散領域内の点Aとその点Aからの距離が最も大きい成膜領域5内の他の点Bとを結ぶ直線と、基材2表面とのなす角θが55°以上90°以下となるように基材2とターゲット材1との相対的な位置を決定する。基材2の表面がターゲット材1の表面に対して角度をなすように基材2とターゲット材1との位置を決定して、基材2表面上に単結晶性薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

ターゲット材表面から成膜材料を飛散させ、その飛散した成膜材料を基材表面上に堆積させることにより単結晶性薄膜を形成する単結晶性薄膜の製造方法において、前記基材を前記ターゲット材の表面に対してほぼ平行となるように対向して配置する工程と、前記ほぼ平行となるように対向して配置された基材の表面において前記単結晶性薄膜が形成される成膜領域を規定する工程と、前記ターゲット材表面において前記成膜材料が飛散する飛散領域を規定する工程と、前記飛散領域内の点とその点からの距離が最も大きい前記成膜領域内の他の点とを結ぶ直線と、前記基材表面とのなす角度が55°以上90°以下となるように、前記ほぼ平行となるように対向して配置された基材と前記ターゲット材との相対的な位置を決定する工程と、前記相対的な位置が決定された基材の表面が前記ターゲット材の表面に対して角度をなすように前記基材と前記ターゲット材との位置を決定して、前記基材の表面上に前記単結晶性薄膜を形成する工程とを備えることを特徴とする、単結晶性薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 23/08 ZAA ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565

FI (4件)：

C30B 23/08 ZAA Z ,  C30B 29/22 501 K ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 D

Fターム (16件)：

4G077AA03 ,  4G077BC53 ,  4G077DA03 ,  4G077ED06 ,  4G077EE06 ,  4G077HA08 ,  4G077SB05 ,  5G321AA01 ,  5G321AA04 ,  5G321CA04 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321CA28 ,  5G321DB33 ,  5G321DB38

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 単結晶性薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-268776   出願人：住友電気工業株式会社, 東京電力株式会社
• 特開平4-311561
  
• 複合酸化物超電導薄膜の成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-211503   出願人：住友電気工業株式会社
• 特開平4-362097