特許
J-GLOBAL ID：200903011318796910
磁束密度が高く、絶縁被膜処理性に優れた低鉄損鉄系非晶質合金
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-052271
公開番号（公開出願番号）：特開平6-264197
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月20日
要約：
【要約】【構成】 鉄系非晶質合金であって、その組成を次式、化学式:FeX BY SiZ MnaここでX:80超〜83%Y:6〜11%Z:8〜13%a:0.5 〜3%とする。【効果】 高磁束密度、低鉄損を維持できるだけでなく、B量の効果的な低減によって低コスト化を達成し、更には熱安定性及び絶縁被膜処理性も向上する。
請求項（抜粋）：
化学式:FeX BY SiZ MnaここでX:80超〜83 at %Y:6〜11 at %Z:8〜13 at %a:0.5 〜3 at %で示される組成になり、かつ鉄損W13/50 ≦0.25 W/kg 、磁束密度B10≧1.5 Tを満足することを特徴とする磁束密度が高く、絶縁被膜処理性に優れた低鉄損鉄系非晶質合金。
引用特許：
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