集積回路チップ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-170709
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046059
出願日： 1995年07月06日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【課題】高電圧パワー集積回路において、望ましくない表面電流のリークをなくすことである。【解決手段】ポリシリコン・フィールド・リング構造が高電圧領域40および低電圧領域41を有するとともにプラスチック・ハウジング81に囲繞された集積回路化されたパワーチップ20における望ましくない表面電流のリークをなくすために使用される。接地電位にバイアスされないすべてのP型の拡散領域は供給電源電位にバイアスされるリング70,71により囲繞され、供給電源電位にバイアスされていないすべてのN型の拡散領域は上記接地電位にバイアスされたリングにより囲繞される。

請求項（抜粋）：

接続部を受ける面を有する一つの導電型のシリコンサブストレートと、該接続部を受ける面の他の導電型の拡散ウェルと、該ウェル内に形成されるとともに上記接続部を受ける面から伸びる上記一つの導電型の少なくとも第1と第2の間隔を有する拡散領域と、上記接続部を受ける面に形成された上記他の導電型の少なくとも第3および第4の間隔を有する拡散領域とを含み、上記第1および第2の拡散領域が上記他の導電型の第1および第2のMOSトランジスタの構造に含まれており、上記第3および第4の拡散領域が上記一つの導電型の第3および第4のMOSトランジスタの構造に含まれており、上記第1、第2、第3および第4のトランジスタが電源供給端子およびアース端子を有するCMOS回路を構成するために接続されており、上記サブストレートの上記接続部を受ける面がその上に絶縁膜を有する一方、該絶縁膜と接触してその中に固有の不純物イオンを有するプラスチック・チップ・ハウジングを有する集積回路チップであって、上記絶縁膜に埋設されるとともに上記第1、第2、第3および第4の拡散領域を少なくとも部分的に囲繞する複数のポリシリコン・リングを含み、上記第1および第2の拡散領域を囲繞している上記リングは一つの上記電源供給端子もしくはアース端子に接続されて上記プラスチック・ハウジング内での不純物イオンによる上記リングの下のシリコン表面の反転を停止させ、上記第3および第4の拡散領域が他の電源供給端子もしくはアース端子に接続されてなる集積回路チップ。

IPC (5件)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 27/08 321 D , H01L 27/04 H , H01L 29/78 301 R

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-025970
特開昭62-076564
特開昭63-029551

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